Bending Stability of Ferroelectric Gated Graphene Field Effect Transistor for Flexible Electronics.

Autor:	Hu, Guangliang1 (AUTHOR) huguangliang@126.com, Shen, Yinchang1 (AUTHOR) yinchangshen@stu.xjtu.edu.cn, Shen, Lvkang1 (AUTHOR) shenlvkang@mail.xjtu.edu.cn, Ma, Chunrui2 (AUTHOR) chunrui.ma@mail.xjtu.edu.cn, Liu, Ming1 (AUTHOR) m.liu@xjtu.edu.cn
Zdroj:	Materials (1996-1944). May2023, Vol. 16 Issue 10, p3798. 9p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.