Diffusion of Germanium from a Buried SiO2 Layer and Formation of a SiGe Phase.

Autor:	Tyschenko, I. E.1 (AUTHOR) tys@isp.nsc.ru, Khmelnitsky, R. A.2,3 (AUTHOR), Saraykin, V. V.4,5 (AUTHOR), Volodin, V. A.1,6 (AUTHOR), Popov, V. P.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Mar2022, Vol. 56 Issue 3, p215-222. 8p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.