Effect of Pretreatment of the Silicon Substrate on the Properties of GaN Films Grown by Chloride–Hydride Vapor-Phase Epitaxy.

Autor:	Seredin, P. V.1 (AUTHOR) paul@phys.vsu.ru, Barkov, K. A.1 (AUTHOR), Goloshchapov, D. L.1 (AUTHOR), Lenshin, A. S.1 (AUTHOR), Khudyakov, Yu. Yu.1 (AUTHOR), Arsentiev, I. N.2 (AUTHOR), Lebedev, A. A.2 (AUTHOR), Sharofidinov, Sh. Sh.2 (AUTHOR), Mizerov, A. M.3 (AUTHOR), Kasatkin, I. A.4 (AUTHOR), Prutskij, Tatiana5 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Dec2021, Vol. 55 Issue 12, p995-1001. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.