Silicon Ultrathin Oxide (4.2 nm)–Polysilicon Structures Resistant to Field Damages.

Autor:	Belorusov, D. A.1 (AUTHOR), Goldman, E. I.1 (AUTHOR), Naryshkina, V. G.1 (AUTHOR), Chucheva, G. V.1 (AUTHOR) gvc@ms.ire.rssi.ru
Zdroj:	Semiconductors. 2021, Vol. 55 Issue 1, p21-24. 4p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.