Ratio-based multi-level resistive memory cells.

Autor:	Lastras-Montaño, Miguel Angel1 miguel.lastras@uaslp.mx, Del Pozo-Zamudio, Osvaldo1, Glebsky, Lev1, Zhao, Meiran2, Wu, Huaqiang2, Cheng, Kwang-Ting3 timcheng@ust.hk
Zdroj:	Scientific Reports. 1/14/2021, Vol. 10 Issue 1, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.