Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures.

Autor:	Muratov, T. T.1 (AUTHOR) temur-muratov@yandex.ru
Zdroj:	Semiconductors. Dec2019, Vol. 53 Issue 12, p1573-1577. 5p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.