Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"write disturbance"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 11420-11431 (2022)
Phase-change memory (PCM) is a promising non-volatile memory device due to its attractive properties such as fast access time and byte-addressability. However, PCM is still difficult to be used as a main memory because of its weakness in endurance an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6e78e0defe0b43fd95e3559375fbbab0
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 127895-127905 (2021)
The ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is one of the most promising candidates for emerging nonvolatile memory devices owing to its low write energy and high $I_{\mathrm {ON}}/I_{\mathrm {OFF}}$ ratio. For FeFET applications as nonvolatile
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/76cfe149f43b4ce5a678498f27d22904
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 127895-127905 (2021)
The ferroelectric field-effect transistor (FeFET) is one of the most promising candidates for emerging nonvolatile memory devices owing to its low write energy and high $I_{\mathrm {ON}}/I_{\mathrm {OFF}}$ ratio. For FeFET applications as nonvolatile
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sparsh Mittal
Publikováno v:
Computers, Vol 6, Iss 1, p 8 (2017)
Non-volatile memories (NVMs) offer superior density and energy characteristics compared to the conventional memories; however, NVMs suffer from severe reliability issues that can easily eclipse their energy efficiency advantages. In this paper, we su
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52aeebae3515469f85264ee2d84ba1f0