Zobrazeno 1 - 10
of 116
pro vyhledávání: '"wide band-gap (wbg)"'
Autor:
Linta Khalil, Kamran Liaquat Bhatti, Kiran Khalil, Haider Bin Tariq, Salman Khalil, Muhammad Zahid Shafique
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 9, Iss , Pp 151-157 (2023)
The high-frequency standard magnetic links were recently considered viable candidates for construction of the medium-voltage power converters, rather than link with the common dc specialized magnetic materials, like nano-crystalline and the amorphous
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f8e4fe91cc45452885e241dbaabbe7ec
Autor:
Arjun Sujeeth, Angelo Di Cataldo, Luigi Danilo Tornello, Mario Pulvirenti, Luciano Salvo, Angelo Giuseppe Sciacca, Giacomo Scelba, Mario Cacciato
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 3, p 595 (2024)
The main aim of this work is to present a step-by-step procedure to model and analyze the power loss distribution of three-level Gallium Nitride (GaN) inverters. It has been applied to three distinct three-phase three-level voltage source inverters u
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d237120689fa43fcb78b39f7f7a0d80d
Autor:
Ramy Kotb, Sajib Chakraborty, Dai-Duong Tran, Ekaterina Abramushkina, Mohamed El Baghdadi, Omar Hegazy
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 4, p 1753 (2023)
Electric vehicles (EVs) are expected to take over the transportation and mobility market over traditional internal combustion engine (ICE) vehicles soon. The internal power demands of EVs are expected to increase. The reason for this is to achieve a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6591a4c7b89e4667b4037cc79bda022b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Juana M. Martinez-Heredia, Francisco Colodro, Jose Luis Mora-Jimenez, Alejandro Remujo, Joaquin Soriano, Sergio Esteban
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 88014-88025 (2020)
Wide band-gap (WBG) semiconductors technology represents a potential candidate to displace conventional silicon (Si) technology used in power electronics. Between Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) power semiconductors, the latter is the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0ffa1d3c8b6447eaaae170f065f6641
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.