Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"wide band gap power semiconductor devices"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 873-886 (2023)
Electromagnetic interference (EMI) remains a critical roadblock to fully benefitting from the various advantages provided by wide-bandgap devices. Of particular concern is the common-mode (CM) emissions generated during the device operation. This wor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/252cd9c5a3034f4c8bb1923de59d3009
Autor:
Moaz, Taha
Wide bandgap (WBG) semiconductor devices are becoming increasing popular in power electronics applications. However, WBG semiconductor devices generate a substantial amount of conducted electromagnetic interference (EMI) compared to silicon (Si) devi
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/116530
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.