Zobrazeno 1 - 10
of 179
pro vyhledávání: '"vertical transistor"'
Publikováno v:
In Power Electronic Devices and Components March 2025 10
Autor:
Mohammed Benjelloun, Zahraa Zaidan, Ali Soltani, Noelle Gogneau, Denis Morris, Jean-Christophe Harmand, Hassan Maher Maher
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 40249-40257 (2023)
A new vertical transistor structure based on GaN nanowire is designed and optimized using the TCAD-Santaurus tool with an electrothermal model. The studied structure with quasi-1D drift region is adapted to GaN nanowires synthesized with the bottom-u
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f184cc81cef341438010285919eef7a0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Marco Höppner, Bahman Kheradmand‐Boroujeni, Jörn Vahland, Michael Franz Sawatzki, David Kneppe, Frank Ellinger, Hans Kleemann
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 9, Iss 24, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract The high‐frequency and low‐voltage operation of organic thin‐film transistors (OTFTs) is a key requirement for the commercial success of flexible electronics. Significant progress has been achieved in this regard by several research gr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9470fcb0752d43efa944a379f38a72d0
Autor:
Goeun Pyo, Gwang Jun Lee, Seungchul Lee, Jae Hoon Yang, Su Jin Heo, Gyeong Hyeon Choi, SeungNam Cha, Jae Eun Jang
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 8, Iss 4, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract The vertical thin film transistor (VTFT) has several advantages over the planar thin film transistor, such as a high current density and low operating voltage, because of the structural specificity. However, it is difficult to realize transi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e1452f95a7634bf59fd25843a919a789
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 4, p 709 (2023)
We report that, for the first time, a low-temperature GaN (LT-GaN) layer prepared by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) regrowth was used as a Mg stopping layer (MSL) for a GaN trench current–aperture vertical electron transistor (CA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27ec61e838044cf6bcbb6254a92912ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.