Zobrazeno 1 - 10
of 107
pro vyhledávání: '"vertical nanowire"'
Autor:
Sara Mannaa, Arnaud Poittevin, Cedric Marchand, Damien Deleruyelle, Bastien Deveautour, Alberto Bosio, Ian O'Connor, Chhandak Mukherjee, Yifan Wang, Houssem Rezgui, Marina Deng, Cristell Maneux, Jonas Muller, Sylvain Pelloquin, Konstantinos Moustakas, Guilhem Larrieu
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 9, Iss 2, Pp 116-123 (2023)
This work presents new insights into 3-D logic circuit design with vertical junctionless nanowire FETs (VNWFET) accounting for underlying electrothermal phenomena. Aided by the understanding of the nanoscale heat transport in VNWFETs through multiphy
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/880ac103a0f9440c8b6edc36da7ba0ce
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 101447-101453 (2021)
The effects of interface charges on the performances of gate-all-around (GAA) GaN vertical nanowire MOSFETs with different geometries have been studied. Geometrical effect on the gate current of vertical GAA GaN nanowire MOSFET has also been analysed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2f029968658644c1965142dbb5a940a5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krishnaraja, Abinaya
Publikováno v:
(157) (2023)
Power dissipation has been the major challenge in the downscaling of transistor technology. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) have struggled to keep a low power consumption while still maintaining a high performance due to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1110::167d8bacf8c84697befccbc267537baa
https://lup.lub.lu.se/record/13b0340e-dc8f-483e-a0e8-282a735b5ee9
https://lup.lub.lu.se/record/13b0340e-dc8f-483e-a0e8-282a735b5ee9
Autor:
Won Douk Jang, Young Jun Yoon, Min Su Cho, Jun Hyeok Jung, Sang Ho Lee, Jaewon Jang, Jin-Hyuk Bae, In Man Kang
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 11, p 749 (2019)
In this paper, a germanium-based gate-metal-core vertical nanowire tunnel field effect transistor (VNWTFET) has been designed and optimized using the technology computer-aided design (TCAD) simulation. In the proposed structure, by locating the gate-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/19d823c6f17e429faf5604e1ed885e3f
Autor:
Nagata T, Tomimoto H, Shingaya Y, Chikyow T, Volk J, Erdélyi R, Bársony I, Tóth AL, Lukács IE, Czigány Zs
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 4, Iss 7, Pp 699-704 (2009)
Abstract Highly uniform and c-axis-aligned ZnO nanorod arrays were fabricated in predefined patterns by a low temperature homoepitaxial aqueous chemical method. The nucleation seed patterns were realized in polymer and in metal thin films, resulting
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5c2046d81ee145e7976add81a8e4c754
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jönsson, Adam
This thesis focuses mainly on the co-integration of vertical nanowiren-type InAs and p-type GaSb MOSFETs on Si (Paper I & II), whereMOVPE grown vertical InAs-GaSb heterostructure nanowires areused for realizing monolithically integrated and co-proces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1110::7c87c47a894fe195bad1562f20c68c20
https://lup.lub.lu.se/record/8519af5a-52e1-4b09-875c-eae775eb45cb
https://lup.lub.lu.se/record/8519af5a-52e1-4b09-875c-eae775eb45cb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.