Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"vertical Schottky-diodes"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 6, p 719 (2024)
This study focuses on the impact of negative fixed charge, achieved through fluorine (F) implantation, on breakdown voltage (BV) enhancement in vertical GaN Schottky diodes. Several device and implant-related parameters are examined using Synopsys Se
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4938bf9fedd4418e9296ce2a8088c95b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.