Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"vertical GaN"'
Autor:
Zahraa Zaidan, Nedal Al Taradeh, Mohammed Benjelloun, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, Josiane Tasselli, Karine Isoird, Luong Viet Phung, Camille Sonneville, Dominique Planson, Yvon Cordier, Frédéric Morancho, Hassan Maher
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 10, p 1223 (2024)
This paper introduces a novel technology for the monolithic integration of GaN-based vertical and lateral devices. This approach is groundbreaking as it facilitates the drive of high-power GaN vertical switching devices through lateral GaN HEMTs with
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eb3c607c6c2d47e2a7cb1bd993e89e67
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 6, Iss , Pp 100330- (2023)
Edge termination has emerged as an important area in the design and realization of vertical GaN power electronic devices. While the material properties of GaN are promising for high-performance devices, in practice the breakdown voltage can be compro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cfcf130a86494ea8b64be1d6ac0be385
Publikováno v:
Frontiers in Physics, Vol 11 (2023)
A groove-gate power device with a linearly gradient Al composition P-type AlGaN superjunction (abbreviated as LG-SJCAVET) is proposed, which uses polarized P-type AlGaN material instead of the traditional P-type GaN buried layer, avoiding the technic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/19e5a3040eb143aa8b77fde23b6b7419
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 46998-47006 (2023)
This work proposes a vertical gallium nitride (GaN) parallel split gate trench MOSFET (PSGT-MOSFET) device architecture suitable for power conversion applications. Wherein two parallel gates, and a field plate are introduced vertically on the sidewal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb3d686cf5c448c0b02be3dfbf3a1f88
Autor:
Andrew T. Binder, James A. Cooper, Jeffrey Steinfeldt, Andrew A. Allerman, Richard Floyd, Luke Yates, Robert J. Kaplar
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 5, Iss , Pp 100218- (2023)
This paper describes a process for forming a buried field shield in GaN by an etch-and-regrowth process, which is intended to protect the gate dielectric from high fields in the blocking state. GaN trench MOSFETs made at Sandia serve as the baseline
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7c8e9011ad2440cbab5a3681ba9f291
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eldad Bahat Treidel, Oliver Hilt, Veit Hoffmann, Frank Brunner, Nicole Bickel, Andreas Thies, Kornelius Tetzner, Hassan Gargouri, Christian Huber, Konstanty Donimirski, Joachim Wurfl
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 215-228 (2021)
ON-state conductance properties of vertical GaN n-channel trench MISFETs manufactured on different GaN substrates and having different gate trench orientations are studied up to 200 °C ambient temperature. The best performing devices, with a maximum
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c224af71832e40efa79c552bf05911a1
Autor:
Ru Xu, Peng Chen, Menghan Liu, Jing Zhou, Yunfei Yang, Yimeng Li, Cheng Ge, Haocheng Peng, Bin Liu, Dunjun Chen, Zili Xie, Rong Zhang, Youdou Zheng
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 316-320 (2020)
In this paper, we demonstrate high-performance quasi-vertical GaN-on-Sapphire Schottky barrier diodes (SBD) with a reverse GaN p-n junction termination (RPN). The SBD has a current output of 1 kA/cm2 at $V_{F}=2.5$ V, a low $V_{on}$ of 0.66 V ± 0.01
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0db05b613b094be8ae88b2bfb892336f