Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"van Staveren, J."'
Autor:
Bavdaz, P. L., Eenink, H. G. J., van Staveren, J., Lodari, M., Almudever, C. G., Clarke, J. S., Sebastiano, F., Veldhorst, M., Scappucci, G.
We demonstrate a 36$\times$36 gate electrode crossbar that supports 648 narrow-channel field effect transistors (FET) for gate-defined quantum dots, with a quadratic increase in quantum dot count upon a linear increase in control lines. The crossbar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.04482
Autor:
Gong, J., Patra, Bishnu, Enthoven, L.A., van Staveren, J., Sebastiano, F., Babaie, M., Fujino, Laura C.
Publikováno v:
2022 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2022: Digest of technical papers
2022 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2022
2022 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2022
LC VCOs with low phase noise (PN) and an octave frequency-tuning range (FTR) are required for multistandard communication devices, software-defined radios, and wireline data links. A viable popular approach is to exploit multicore mode-switching VCOs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::0636c73ab2c7c2d896b2f7f7ab510fa8
http://resolver.tudelft.nl/uuid:959b9133-fa65-48ab-8ed1-b2fd20e90379
http://resolver.tudelft.nl/uuid:959b9133-fa65-48ab-8ed1-b2fd20e90379
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schutte, T., van Eekeren, R., Richir, M., van Staveren, J., van Puijenbroek, E.P., Tichelaar, J., van Agtmael, M.A.
Publikováno v:
In Clinical Therapeutics August 2017 39(8) Supplement:e24-e24
Autor:
Bates, C. J., Benton, D., Biesalski, H. K., Staehelin, H. B., van Staveren, J., Stehle, P., Suter, P. M., Wolfram, G.
Publikováno v:
Aktuelle Ernährungsmedizin; 2001, Vol. 26 Issue 6, p285-302, 18p
Autor:
Van Staveren, J. C.
Publikováno v:
Transactions of the American Institute of Electrical Engineers, Part III: Power Apparatus & Systems; 1962, Vol. 81 Issue 3, p461-471, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
van Staveren, J., Almudever, C. Garcia, Scappucci, G., Veldhorst, M., Babaie, M., Charbon, E., Sebastiano, F.
This paper presents a family of voltage references in standard 40-nm CMOS that exploits the temperature dependence of dynamic-threshold MOS, NMOS and PMOS transistors in weak inversion to enable operation over the ultra-wide temperature range from 4.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::2b6448acc8d32490af20b23e72e5649e
https://infoscience.epfl.ch/record/276897
https://infoscience.epfl.ch/record/276897
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.