Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"valley–spin Hall effect"'
Autor:
Cho, Karam, Gupta, Sumeet Kumar
Binary neural networks (BNNs) have shown an immense promise for resource-constrained edge artificial intelligence (AI) platforms as their binarized weights and inputs can significantly reduce the compute, storage and communication costs. Several work
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.05219
Autor:
Cho, Karam, Gupta, Sumeet Kumar
Valley-spin hall (VSH) effect in monolayer WSe2 has been shown to exhibit highly beneficial features for nonvolatile memory (NVM) design. Key advantages of VSH-based magnetic random-access memory (VSH-MRAM) over spin orbit torque (SOT)-MRAM include a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.08188
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 9, Iss 2, Pp 99-107 (2023)
Binary neural networks (BNNs) have shown an immense promise for resource-constrained edge artificial intelligence (AI) platforms. However, prior designs typically either require two bit-cells to encode signed weights leading to an area overhead, or r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/330e2de940344536b49ad82d2339d95f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Karam Cho, Sumeet Kumar Gupta
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 8, Iss 2, Pp 157-165 (2022)
Valley-spin hall (VSH) effect in monolayer WSe2 has been shown to exhibit highly beneficial features for nonvolatile memory (NVM) design. Key advantages of VSH-based magnetic random access memory (VSH-MRAM) over spin orbit torque (SOT)-MRAM include a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/96ce5ecc27fc44c4ba4dd47fd0924579
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:1667-1676
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e67b97233ea751d6ee4acfeb1c6614a5
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3135475
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3135475