Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"valence-change memory"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Scalable Al2O3–TiO2 Conductive Oxide Interfaces as Defect Reservoirs for Resistive Switching Devices
Autor:
Yang Li, Wei Wang, Di Zhang, Maria Baskin, Aiping Chen, Shahar Kvatinsky, Eilam Yalon, Lior Kornblum
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 2, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Resistive switching devices herald a transformative technology for memory and computation, offering considerable advantages in performance and energy efficiency. Here, a simple and scalable material system of conductive oxide interfaces is e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df9c38b0b59443329e764d45fec3b84d
Autor:
Juan Ramirez-Rios, Karla Esther González-Flores, José Juan Avilés-Bravo, Sergio Alfonso Pérez-García, Javier Flores-Méndez, Mario Moreno-Moreno, Alfredo Morales-Sánchez
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2124 (2023)
In this work, the SET and RESET processes of bipolar resistive switching memories with silicon nanocrystals (Si-NCs) embedded in an oxide matrix is simulated by a stochastic model. This model is based on the estimation of two-dimensional oxygen vacan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8f6e3253c8ab41549082f4b15705dc68
Autor:
Jongmin Park, Sungjun Kim
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 39, Iss , Pp 105731- (2022)
As the demand for neuromorphic computing technology increases, the need for high-density resistive random access memory (RRAM) to meet data capacity expansion increases. Operating voltages in the DC measurement environment and their impact on RRAM re
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72abc6cf9ff14cebbe95cab613db55dd
Autor:
Raquel Rodriguez-Lamas, Dolors Pla, Odette Chaix-Pluchery, Benjamin Meunier, Fabrice Wilhelm, Andrei Rogalev, Laetitia Rapenne, Xavier Mescot, Quentin Rafhay, Hervé Roussel, Michel Boudard, Carmen Jiménez, Mónica Burriel
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 10, Iss 1, Pp 389-398 (2019)
The next generation of electronic devices requires faster operation velocity, higher storage capacity and reduction of the power consumption. In this context, resistive switching memory chips emerge as promising candidates for developing new non-vola
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/adbbf74429b747d1839f5596ecd3aaf6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Nano, 17 (9)
In valence change memory (VCM) cells, the conductance of an insulating switching layer is reversibly modulated by creating and redistributing point defects under an external field. Accurately simulating the switching dynamics of these devices can be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4ce9c82d2dd76b239b476552d263880c
https://doi.org/10.1021/acsnano.2c12575
https://doi.org/10.1021/acsnano.2c12575
Publikováno v:
Solid-State Electronics, 199
We present a framework dedicated to modelling the resistive switching operation of Valence Change Memory (VCM) cells. The method combines an atomistic description of the device structure, a Kinetic Monte Carlo (KMC) model for the creation and diffusi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e68ed61af0475dac11028cd9496de6ed
https://hdl.handle.net/20.500.11850/582251
https://hdl.handle.net/20.500.11850/582251
