Application des méthodes de fonction de Green aux défauts dans les semiconducteurs

Autor: J.N. Decarpigny

Publikováno v: Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1980, 15 (3), pp.661-669. ⟨10.1051/rphysap:01980001503066100⟩

Parmi les objectifs de l'étude théorique d'un centre profond dans un semiconducteur, la détermination de sa structure électronique et de la reconstruction du réseau cristallin à son voisinage a fait l'objet de multiples approches. Nous nous pro

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