Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"trapped charge density"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 942-946 (2022)
In this letter, high-performance Al2O3/ $\beta$ -Ga2O3 (001) metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor has been demonstrated. The capacitance-voltage (C–V) curves of the Al2O3/ $\beta$ -Ga2O3 (001) MIS capacitor remain stable under different me
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08aed261af9b45f49d8bfd80d0c4c007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jae-Hoon Yoo, Won-Ji Park, So-Won Kim, Ga-Ram Lee, Jong-Hwan Kim, Joung-Ho Lee, Sae-Hoon Uhm, Hee-Chul Lee
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 11, p 1785 (2023)
Optimization of equipment structure and process conditions is essential to obtain thin films with the required properties, such as film thickness, trapped charge density, leakage current, and memory characteristics, that ensure reliability of the cor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ecb51cbfc56243eeb19deecf206f81ed
Autor:
Lee, Jae-Hoon Yoo, Won-Ji Park, So-Won Kim, Ga-Ram Lee, Jong-Hwan Kim, Joung-Ho Lee, Sae-Hoon Uhm, Hee-Chul
Publikováno v:
Nanomaterials; Volume 13; Issue 11; Pages: 1785
Optimization of equipment structure and process conditions is essential to obtain thin films with the required properties, such as film thickness, trapped charge density, leakage current, and memory characteristics, that ensure reliability of the cor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::4465a8dbdf759f7a2fa163f505a00ef0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Philosophical Transactions: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2009 Oct . 367(1905), 4215-4225.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/40485771
The unique physical, chemical, and electronic properties of rare earth oxides have been of immense interest to replace SiO2 as a dielectric material in metal–oxide–semiconductor (MOS)-based sensors applications to accurately measure the radiation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2af1fa6b91028f5d1b3e777abe254f52
http://hdl.handle.net/11452/29962
http://hdl.handle.net/11452/29962
