Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"trap-rich (TR)"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 620-626 (2022)
This paper focuses on the comparison of various advanced substrates such as trap-rich (TR), porous silicon (PSi), gold-doped (Au-Si) and smart-implants PN-junction (DP) in terms of RF performances. Both small- and large-signal measurements were perfo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bdd0f514f874ccfac535d801d7012c6
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 543-550 (2018)
This paper evaluates the small-and large-signal characteristics of a single pole double thru (SPDT) RF antenna switch including its insertion loss, isolation, and nonlinear behavior. It is fabricated on three different types of high resistivity (HR)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/80599c9bdf284d11aa48344e8b28c9eb
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Scheen, Gilles, Tuyaerts, Romain, Rack, Martin, Nyssens, Lucas, Rasson, Jonathan, Raskin, Jean-Pierre, IEEE International Microwave Symposium – IMS’19
The interest of porous silicon (PSi) for RF applications has been widely demonstrated in many previous works. In most of them, PSi is integrated into the substrate during its fabrication (PRE-PSi) prior to a standard process (e.g. CMOS). Such PRE-PSi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::a1d2b6faab6c2b396175dba25ff1e5fc
https://hdl.handle.net/2078.1/220450
https://hdl.handle.net/2078.1/220450
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol. 6, no., p. 543-550 (2018)
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 543-550 (2018)
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 543-550 (2018)
This paper evaluates the small- and large-signal characteristics of a single pole double thru (SPDT) RF antenna switch including its insertion loss, isolation and non-linear behavior. It is fabricated on three different types of high resistivity (HR)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1a6d5190cfdbb0fe1c3348f258d1b40c
https://hdl.handle.net/2078.1/208830
https://hdl.handle.net/2078.1/208830
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kazemi Esfeh, Babak, Makovejev S., Allibert F., Raskin, Jean-Pierre, IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
This paper evaluates the small- and large-signal characteristics of a single pole double thru (SPDT) RF antenna switch including its insertion loss, isolation and non-linear behavior. It is fabricated on two different types of high resistivity (HR) S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::9cfc2255e3feb58ea7dcbcda2977def9
https://hdl.handle.net/2078.1/219183
https://hdl.handle.net/2078.1/219183
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.