Zobrazeno 1 - 10
of 580
pro vyhledávání: '"trap-assisted tunneling"'
Autor:
Nicola Roccato, Francesco Piva, Carlo De Santi, Matteo Buffolo, Normal Susilo, Daniel Hauer Vidal, Anton Muhin, Luca Sulmoni, Tim Wernicke, Micheal Kneissl, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 16, Iss 1, Pp 1-6 (2024)
In this paper we investigate the reliability of AlGaN-based UV-C LEDs with an emission wavelength of 265 nm. By submitting the devices to constant current stress, two main electrical degradation processes are identified: a turn-on voltage shift and a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a1046786be954d2eaa3b8eb8aa7d2ef6
Autor:
Carsten Funck, Stefan Wiefels, Christopher Bengel, Kristoffer Schnieders, Susanne Hoffmann-Eifert, Regina Dittmann, Stephan Menzel
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems, Vol 5, Iss 11, Pp n/a-n/a (2023)
Resistive switching devices are candidates to be used as weight for the future hardware realization of neuronal networks. Herein, these resistive switches base on oxygen vacancy migration and can be toggled between different resistance states. Intern
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/31a9c7e9d1ad450a9ecfd0ee2d9c2058
Autor:
Iman Chahardah Cherik, Saeed Mohammadi
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 83881-83886 (2023)
In this article, we propose a novel vertical TFET that benefits from dual doping-less tunneling junction. Due to the low on-state current of silicon-based TFETs, we employ a dual-source configuration and a high-k dielectric material in the oxide regi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a1f4dcb94a1e4901ab8d56be3555167a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kin P Cheung
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 4, Iss , Pp 100024- (2023)
Power electronics is currently a hot topic due to its important role in fighting climate change. Gate oxide breakdown is the Achilles heel of power devices, and it is well known that extrinsic breakdown is the chief concern. However, the root cause o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/93de964f1126480a9a6bffc52a0db9ba
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.