Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"trap measurement"'
Autor:
Peyush Pande, Sima Dimitrijev, Daniel Haasmann, Hamid Amini Moghadam, Philip Tanner, Jisheng Han
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 468-474 (2018)
This brief presents direct electrical measurement of active defects in the strong-accumulation region of N-type 4H-SiC MOS capacitors, which corresponds to the strong-inversion region of N-channel MOSFETs. The results demonstrate the existence of an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16ee35701d25404fbc2ac6a017c61f6c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.