Zobrazeno 1 - 10
of 1 873
pro vyhledávání: '"trap effects"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cho, Hong-rae1 (AUTHOR), Hyung Park, Joon1 (AUTHOR), Kim, Somi1 (AUTHOR) sungyeop.jung@snu.ac.kr, Udaya Mohanan, Kannan1 (AUTHOR), Jung, Sungyeop2 (AUTHOR) chang-hyun.kim@uottawa.ca, Kim, Chang-Hyun3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 5/7/2024, Vol. 135 Issue 17, p1-8. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Guillotreau, P.1 (AUTHOR) patrice.guillotreau@ird.fr, Salladarré, F.2 (AUTHOR), Capello, M.1 (AUTHOR), Dupaix, A.1 (AUTHOR), Floc'h, L.1 (AUTHOR), Tidd, A.1 (AUTHOR), Tolotti, M.1 (AUTHOR), Dagorn, L.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Fish & Fisheries. Jan2024, Vol. 25 Issue 1, p151-167. 17p.
Autor:
Gerardo Malavena, Salvatore M. Amoroso, Andrew R. Brown, Plamen Asenov, Xi-Wei Lin, Victor Moroz, Mattia Giulianini, David Refaldi, Christian Monzio Compagnoni, Alessandro S. Spinelli
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 651-657 (2024)
In this two-part article we discuss the difference between a continuous and a discrete approach to trap modeling in the simulation of 3-D NAND Flash memories with polysilicon channel. In Part I we focus on threshold voltage $({\mathrm { V}}_{\mathrm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7afce161e184ff092a9374d9c9526b5
Autor:
Gerardo Malavena, Salvatore M. Amoroso, Andrew R. Brown, Plamen Asenov, Xi-Wei Lin, Victor Moroz, Mattia Giulianini, David Refaldi, Christian Monzio Compagnoni, Alessandro S. Spinelli
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 658-661 (2024)
In Part II of this article we discuss the impact of a discrete treatment of traps on 3-D NAND Flash random telegraph noise (RTN). A higher RTN results when discrete traps are taken into account, that can only be explained by a stronger influence of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/09c859b81e254e71b8dbdeb8f936cf18
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.