Zobrazeno 1 - 10
of 210
pro vyhledávání: '"transition metal dichalcogenide (TMD)"'
Autor:
Marinos Tountas, Katerina Anagnostou, Evangelos Sotiropoulos, Christos Polyzoidis, Emmanuel Kymakis
Publikováno v:
Nanoenergy Advances, Vol 4, Iss 3, Pp 221-234 (2024)
In this study, we explored the potential of exfoliated transition metal dichalcogenides (TMDs) as innovative spray-coated hole transport layers (HTLs) in organic photovoltaics (OPVs), addressing the need for efficient and stable materials in solar ce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/be127c9b46954a1e829deff4a5bf0485
Publikováno v:
Materials, Vol 17, Iss 11, p 2665 (2024)
2D field-effect transistors (FETs) fabricated with transition metal dichalcogenide (TMD) materials are a potential replacement for the silicon-based CMOS. However, the lack of advancement in p-type contact is also a key factor hindering TMD-based CMO
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/953b5b626541448cb5e0fe09ad91f53d
Autor:
Alberto Martínez-Jódar, Silvia Villar-Rodil, José M. Munuera, Alberto Castro-Muñiz, Jonathan N. Coleman, Encarnación Raymundo-Piñero, Juan I. Paredes
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 11, p 932 (2024)
The preparation of 2H-phase MoS2 thin nanosheets by electrochemical delamination remains a challenge, despite numerous efforts in this direction. In this work, by choosing appropriate intercalating cations for cathodic delamination, the insertion pro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eb8f197594ef4c75a0716bae008442a1
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 9, Iss 2, Pp 99-107 (2023)
Binary neural networks (BNNs) have shown an immense promise for resource-constrained edge artificial intelligence (AI) platforms. However, prior designs typically either require two bit-cells to encode signed weights leading to an area overhead, or r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/330e2de940344536b49ad82d2339d95f
Autor:
Karam Cho, Sumeet Kumar Gupta
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 8, Iss 2, Pp 157-165 (2022)
Valley-spin hall (VSH) effect in monolayer WSe2 has been shown to exhibit highly beneficial features for nonvolatile memory (NVM) design. Key advantages of VSH-based magnetic random access memory (VSH-MRAM) over spin orbit torque (SOT)-MRAM include a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/96ce5ecc27fc44c4ba4dd47fd0924579
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Keshari Nandan, Chandan Yadav, Priyank Rastogi, Alejandro Toral-Lopez, Antonio Marin-Sanchez, Enrique G. Marin, Francisco G. Ruiz, Somnath Bhowmick, Yogesh S. Chauhan
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 1177-1183 (2020)
In this article, we present a channel thickness dependent analytical model for MoS2 symmetric double-gate FETs including negative capacitance (NC) effect. In the model development, first thickness dependent model of the baseline 2D FET is developed,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c85e6a2aab4648b1a57d87461176033d