Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"transient thermal impedance"'
Autor:
Xiao Hu, Henry Antony Martin, René Poelma, Jianlin Huang, Hans van Rijckevorsel, Huib Scholten, Edsger Smits, Willem D. van Driel, Guoqi Zhang
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 244, Iss , Pp 113185- (2024)
Resin-reinforced Ag sintering materials represent a promising solution for die-attach applications in high-power devices requiring enhanced reliability and heat dissipation. However, the presence of resin and intricate microstructure poses challenges
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/40315f8e9310416d93e7a72c0fe6dac7
Publikováno v:
Soldering & Surface Mount Technology, 2022, Vol. 34, Issue 4, pp. 222-229.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/SSMT-08-2021-0054
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 13, p 4566 (2022)
In this paper, a detailed review of contemporary cooling systems of semiconductor devices is presented. The construction and the principles of operation of selected components of passive and active cooling systems, as well as selected computer tools
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e59b8a2ea8644de8b19d0071f9b04456
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 8, p 2923 (2022)
In the current paper, an analysis of the influence of cooling system selection on the thermal parameters of two thermally coupled power MOSFETs is presented. The required measurements of the thermal parameters were performed using the indirect electr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/de3ce35ad6f04531926128ae5db7bdf9
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 24, p 8353 (2021)
In the paper, selected problems that are related to the measurements of thermal parameters of power MOSFETs that are placed on a common heat sink are analysed. The application of the indirect electrical method, the contact method, and the optical met
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bc9d2607e06f4662ae286b8acc988137
Publikováno v:
Metrology and Measurement Systems, Vol 23, Iss 3, Pp 451-459 (2016)
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are present
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7f08da099cfe4e05a94395ce869bfc4d