Zobrazeno 1 - 10
of 160
pro vyhledávání: '"total ionizing dose effect"'
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 8, Iss 58, Pp 1789-1796 (2024)
With the development of Moore’s law, through-silicon via (TSV) has emerged as a critical technology for the realization of three-dimensional (3-D) integrated microsystem. TSV technology provides tremendous advantages, such as lower interconnect lat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/46347f6776cf4f74b0e895dceda116dd
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 55, Iss 9, Pp 3334-3341 (2023)
We studied the irradiation effects of fast neutron generated by a 30 MeV cyclotron on the electrical and switching characteristics of NPT-IGBT devices. Fast neutron fluence ranges from 2.7 × 109 to 1.82 × 1013 n/cm2. Electrical characteristics of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/67c9b033ad464bb3b8f0457557958dc5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
He jishu, Vol 45, Iss 5, Pp 49-54 (2022)
BackgroundTotal dose effect of silicon-on-insulator (SOI) devices can be reinforced through the back gate port, hence the device parameter degradation caused by irradiation can be compensated by applying back-gate bias voltage using the positive back
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52b44d7ba260482cb8d46c03d0587b17
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 56, Iss 4, Pp 767-774 (2022)
The dynamic characteristics of silicon carbide VDMOS (SiC VDMOS) with different bias states under total dose radiation environment were studied. The effects of 60Co γ�ray irradiation on the threshold voltage and switching characteristics of SiC VD
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c2054653a81a437bafcde791047547ef
Publikováno v:
He jishu, Vol 46, Iss 11, Pp 110502-110502 (2023)
BackgroundGallium nitride (GaN) power devices have garnered attention in the anti-irradiation field owing to their excellent performance.PurposeThis study aims to explore the anti-γ-ray damage ability of gallium nitride power devices and clarify the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7813c1559fc540faa3b690c6df226764
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hao Wu, Xiaojun Fu, Jun Luo, Manlin Yang, Xiaoyu Yang, Wei Huang, Huan Zhang, Fan Xiang, Yang Pu, Ziwei Wang
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 10, p 1832 (2023)
GaN devices are nowadays attracting global attention due to their outstanding performance in high voltage, high frequency, and anti-radiation ability. Research on total ionizing dose and annealing effects on E-mode GaN Cascode devices has been carrie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d84011e237f438e9ce1fcdaf1d0475d
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 7, p 1438 (2023)
The total ionizing dose (TID) effect significantly impacts the electrical parameters of fully depleted silicon on insulator (FDSOI) devices and even invalidates the on–off function of devices. At present, most of the irradiation research on the cir
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/573f6c50ca064044ae3495256f667702