Early Growth Stages of Aluminum Oxide (Al2O3) Insulating Layers by Thermal- and Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition on AlGaN/GaN Heterostructures

Autor: Emanuela Schilirò, Patrick Fiorenza, Giuseppe Greco, Francesca Monforte, Guglielmo Guido Condorelli, Fabrizio Roccaforte, Filippo Giannazzo, Raffaella Lo Nigro

Publikováno v: ACS Applied Electronic Materials. 4:406-415

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cc96cba1884b269b26ef922250ac2acf
https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c01059

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Interface Electrical Properties of Al2O3 Thin Films on Graphene Obtained by Atomic Layer Deposition with an in Situ Seedlike Layer

Autor: Gabriele Fisichella, Patrick Fiorenza, Salvatore Di Franco, Filippo Giannazzo, Raffaella Lo Nigro, Emanuela Schilirò, Fabrizio Roccaforte, Sebastiano Ravesi

Publikováno v: ACS applied materials & interfaces
9 (2017): 7761–7771. doi:10.1021/acsami.6b15190
info:cnr-pdr/source/autori:Fisichella, Gabriele; Schiliro, Emanuela; Di Franco, Salvatore; Fiorenza, Patrick; Lo Nigro, Raffaella; Roccaforte, Fabrizio; Ravesi, Sebastiano; Giannazzo, Filippo/titolo:Interface Electrical Properties of Al2O3 Thin Films on Graphene Obtained by Atomic Layer Deposition with an in Situ Seedlike Layer/doi:10.1021%2Facsami.6b15190/rivista:ACS applied materials & interfaces (Print)/anno:2017/pagina_da:7761/pagina_a:7771/intervallo_pagine:7761–7771/volume:9

High-quality thin insulating films on graphene (Gr) are essential for field-effect transistors (FETs) and other electronics applications of this material. Atomic layer deposition (ALD) is the method of choice to deposit high-kappa dielectrics with ex

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::041bbe2f1b0f71b0b6f5aef252135e5f
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.6b15190

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.