Technique of High-Field Electron Injection for Wafer-Level Testing of Gate Dielectrics of MIS Devices

Autor: Dmitrii V. Andreev, Vladimir V. Andreev, Marina Konuhova, Anatoli I. Popov

Publikováno v: Technologies, Vol 12, Iss 7, p 102 (2024)

We propose a technique for the wafer-level testing of the gate dielectrics of metal–insulator–semiconductor (MIS) devices by the high-field injection of electrons into the dielectric using a mode of increasing injection current density up to a se

Externí odkaz: https://doaj.org/article/9933ac09d686452c8445d01456be79d2

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Stability of the determination of a time-dependent coefficient in parabolic equations

Autor: Mourad Choulli, Yavar Kian

Publikováno v: Mathematical Control and Related Fields
Mathematical Control and Related Fields, AIMS, 2013, 3 (2), pp.143-160. ⟨10.3934/mcrf.2013.3.143⟩
Mathematical Control and Related Fields, 2013, 3 (2), pp.143-160. ⟨10.3934/mcrf.2013.3.143⟩

We establish a Lipschitz stability estimate for the inverse problem consisting in the determination of the coefficient $\sigma(t)$, appearing in a Dirichlet initial-boundary value problem for the parabolic equation $\partial_tu-\Delta_x u+\sigma(t)f(

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e0780b51c6cb7794299e06c3db10850b
http://arxiv.org/abs/1202.5392

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.