Zobrazeno 1 - 10
of 724
pro vyhledávání: '"time‐dependent dielectric breakdown"'
Autor:
Xinlan Hou, Runding Luo, Qibin Liu, Yanqing Chi, Jie Zhang, Hongping Ma, Qingchun Zhang, Jiajie Fan
Publikováno v:
Case Studies in Thermal Engineering, Vol 63, Iss , Pp 105371- (2024)
—With the rapid applications of silicon carbide metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) power devices, further improving the performance of SiC MOSFET device through enhancing its gate oxide reliability is one of the cruc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/23aec77f412948c0a9dc4b3180b1275d
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 82208-82215 (2023)
In this work, by employing the developed kinetic Monte Carlo (kMC)-based time-dependent dielectric breakdown (TDDB) analysis simulator, the lifetime characteristics change by TDDB in the stacked multi-nanosheet field-effect transistor (mNS-FET) of th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7ae16bdf7ff241c38d75a131dff75a04
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Johanna (Sanne) H. Deijkers, Arthur A. deJong, Miika J. Mattinen, Jeff J. P. M. Schulpen, Marcel A. Verheijen, Hessel Sprey, Jan Willem Maes, Wilhelmus (Erwin) M. M. Kessels, Ageeth A. Bol, Adriaan J. M. Mackus
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 12, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Miniaturization in integrated circuits requires that the Cu diffusion barriers located in interconnects between the Cu metal line and the dielectric material should scale down. Replacing the conventional TaN with a 2D transition metal dichal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cf0691abe86647728518a52e4199b94c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 8, p 1504 (2023)
In today’s digital circuits, Si-based MOS devices have become the most widely used technology in medical, military, aerospace, and aviation due to their advantages of mature technology, high performance, and low cost. With the continuous integratio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d14fa257bbb349fca295bf2e219434af
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 633-639 (2021)
Constant-voltage time-dependent dielectric breakdown (TDDB) measurements are performed on recently manufactured commercial 1.2 kV 4H-SiC power metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect transistors (MOSFETs) from three vendors. Abrupt changes of th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/876b714310a14a6bb666889dc309fd55
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.