Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"thermal resistance (Rth)"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 105878-105886 (2024)
For improving thermal characteristics and on-current ( $I_{\mathrm {ON}}$ ) in vertically stacked nanosheet field-effect transistor (NSFET), the effect of parasitic channel height ( $H_{\mathrm {parasitic}}$ ) on thermal and electrical characteristic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/559ab63ee12e4e3f99e059d2247bd207
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Candido Pirri, Luciano Scaltrito, Carmelo Sanfilippo, G. Richieri, Denis Perrone, Simone Luigi Marasso, Isabella Para, M. G. Gentile, Diego Pugliese, Matteo Cocuzza, Sergio Ferrero, Luigi Merlin
Publikováno v:
I.E.E.E. transactions on electron devices 64 (2017): 4226–4232. doi:10.1109/TED.2017.2732733
info:cnr-pdr/source/autori:Para, Isabella; Marasso, S. L.; Perrone, D.; Gentile, M. G.; Sanfilippo, C.; Richieri, Giovanni; Merlin, Luigi; Pugliese, D.; Cocuzza, M.; Ferrero, S.; Scaltrito, L.; Pirri, C. F./titolo:Wafer Level Integration of 3-D Heat Sinks in Power ICs/doi:10.1109%2FTED.2017.2732733/rivista:I.E.E.E. transactions on electron devices/anno:2017/pagina_da:4226/pagina_a:4232/intervallo_pagine:4226–4232/volume:64
info:cnr-pdr/source/autori:Para, Isabella; Marasso, S. L.; Perrone, D.; Gentile, M. G.; Sanfilippo, C.; Richieri, Giovanni; Merlin, Luigi; Pugliese, D.; Cocuzza, M.; Ferrero, S.; Scaltrito, L.; Pirri, C. F./titolo:Wafer Level Integration of 3-D Heat Sinks in Power ICs/doi:10.1109%2FTED.2017.2732733/rivista:I.E.E.E. transactions on electron devices/anno:2017/pagina_da:4226/pagina_a:4232/intervallo_pagine:4226–4232/volume:64
In this paper, an innovative process flow developed to improve the thermal resistance of power ICs was presented. In this field, one of the major device failure mechanisms is related to the high temperatures reached during the working cycles due to t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c6d8ddbfebeb3b4d02985b6c04e3f363
http://hdl.handle.net/11583/2693808
http://hdl.handle.net/11583/2693808
