Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"temperature-dependent PL"'
Autor:
Tarek O. Abdul Fattah, Janet Jacobs, Vladimir P. Markevich, Nikolay V. Abrosimov, Matthew P. Halsall, Iain F. Crowe, Anthony R. Peaker
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 8, Iss 4, Pp 100629- (2023)
Before lower purity, lower cost silicon (Si) materials, such as compensated Si, can play a role in the terawatt-level (TW) capacity of photovoltaics, a better understanding of the fundamental properties of impurities in compensated Si is essential. I
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d11487d7d8834392bbe982a949f4bfba
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pengzhan Zhang, Leng Zhang, Fei Lyu, Danbei Wang, Ling Zhang, Kongpin Wu, Sake Wang, Chunmei Tang
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 7, p 1269 (2023)
In recent years, researchers have placed great importance on the use of silicon (Si)-related materials as efficient light sources for the purpose of realizing Si-based monolithic optoelectronic integration. Previous works were mostly focused on Si na
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bd817a05ac446e09261561f953643b6
Detection of optical emissions from deep localized states in a self-assembled InAs/GaAs QD structure
Publikováno v:
Applied Surface Science Advances, Vol 7, Iss , Pp 100199- (2022)
This work reports on the optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) grown by molecular beam epitaxy. A sigmoidal temperature-dependent variation of the bandgap energy of the dots is detected from the photoluminescence (PL) inve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/59e259f6c7e646859f9a5ea06b696b6d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.