Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"temperature gradient growth"'
Publikováno v:
KPI Science News, Vol 0, Iss 3, Pp 58-64 (2020)
Background. Growing of both thin and thick epitaxial layers is an essential part of semiconductor device technology. Liquid phase epitaxy is among well-known technological methods. There are pulse methods of liquid phase epitaxy specially developed f
Publikováno v:
Наукові вісті КПІ; № 3 (2020); 58-64
KPI Science News; № 3 (2020); 58-64
Научные вести КПИ; № 3 (2020); 58-64
KPI Science News; № 3 (2020); 58-64
Научные вести КПИ; № 3 (2020); 58-64
Background. Growing of both thin and thick epitaxial layers is an essential part of semiconductor device technology. Liquid phase epitaxy is among well-known technological methods. There are pulse methods of liquid phase epitaxy specially developed f
Проблематика. Вирощування як тонких, так і товстих епітаксійних шарів є невід’ємною частиною технології напівпровідникових приладів.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::182cb449f9d902e3807b0405a2b65635
https://doi.org/10.20535/kpi-sn.2020.3.197877
https://doi.org/10.20535/kpi-sn.2020.3.197877
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.