Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"synaptic application"'
Autor:
Somnath S. Kundale, Pravin S. Pawar, Dhananjay D. Kumbhar, I. Ketut Gary Devara, Indu Sharma, Parag R. Patil, Windy Ayu Lestari, Soobin Shim, Jihye Park, Tukaram D. Dongale, Sang Yong Nam, Jaeyeong Heo, Jun Hong Park
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 32, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The pursuit of advanced brain‐inspired electronic devices and memory technologies has led to explore novel materials by processing multimodal and multilevel tailored conductive properties as the next generation of semiconductor platforms,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16e4d24a76d2434aadf9f8beaab629ce
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Molecular Sciences, Vol 23, Iss 17, p 9995 (2022)
The attempts to devise networks that resemble human minds are steadily progressing through the development and diversification of neural networks (NN), such as artificial NN (ANN), convolution NN (CNN), and recurrent NN (RNN). Meanwhile, memory devic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/695d4d773cca41ed8065635c73e194a5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zongjie Shen, Chun Zhao, Yanfei Qi, Wangying Xu, Yina Liu, Ivona Z. Mitrovic, Li Yang, Cezhou Zhao
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 10, Iss 8, p 1437 (2020)
Resistive random access memory (RRAM) devices are receiving increasing extensive attention due to their enhanced properties such as fast operation speed, simple device structure, low power consumption, good scalability potential and so on, and are cu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8d88996abe9e4b55bebc5a17ee982aeb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.