Zobrazeno 1 - 10
of 293
pro vyhledávání: '"synaptic application"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials (1996-1944). Oct2022, Vol. 15 Issue 20, p7185-N.PAG. 8p.
Publikováno v:
In Results in Physics September 2020 18
Publikováno v:
International Journal of Molecular Sciences, Vol 23, Iss 17, p 9995 (2022)
The attempts to devise networks that resemble human minds are steadily progressing through the development and diversification of neural networks (NN), such as artificial NN (ANN), convolution NN (CNN), and recurrent NN (RNN). Meanwhile, memory devic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/695d4d773cca41ed8065635c73e194a5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zongjie Shen, Chun Zhao, Yanfei Qi, Wangying Xu, Yina Liu, Ivona Z. Mitrovic, Li Yang, Cezhou Zhao
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 10, Iss 8, p 1437 (2020)
Resistive random access memory (RRAM) devices are receiving increasing extensive attention due to their enhanced properties such as fast operation speed, simple device structure, low power consumption, good scalability potential and so on, and are cu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8d88996abe9e4b55bebc5a17ee982aeb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 15, Iss 20, p 7185 (2022)
In this work, we evaluate the resistive switching (RS) and synaptic characteristics of a fully transparent resistive random-access memory (T-RRAM) device based on indium-tin-oxide (ITO) electrodes. Here, we fabricated ITO/WOX/ITO capacitor structure
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c3d2102c53f749f0800e3fc190cc4e04
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; October 2023, Vol. 70 Issue: 10 p5092-5098, 7p