Výsledky vyhledávání - "symmetric gate driver layout"

Akademický článek

Design and Implementation of a Paralleled Discrete SiC MOSFET Half-Bridge Circuit with an Improved Symmetric Layout and Unique Laminated Busbar

Autor: Ismail Ataseven, Ilker Sahin, Salih Baris Ozturk

Publikováno v: Energies, Vol 16, Iss 6, p 2903 (2023)

Silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have many advantages compared to silicon (Si) MOSFETs: low drain-source resistance, high thermal conductivity, low leakage current, and high switching frequency. As a

Externí odkaz: https://doaj.org/article/64ae4ea82e6b48619005482a87e01403

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání