Zobrazeno 1 - 10
of 454
pro vyhledávání: '"switching speed"'
Autor:
Sang Won An, Seong Bin Bae, Beomjun Kim, Yoon Ki Kim, Jaeseung Kim, Tae Hyun Jung, Jae Heon Lee, Sang Woo Lee, Yu Bin Park, Hyunjung Kim, Hyobin Yoo, Sang Mo Yang
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 21, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Recently, HfO2‐based ferroelectric thin films have attracted widespread interest in developing next‐generation nonvolatile memories. To form a metastable ferroelectric orthorhombic phase in HfO2, a post‐annealing process is typically n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3f71b7f4aa1840dd8cc8e70536e6308f
Publikováno v:
Zhejiang dianli, Vol 42, Iss 3, Pp 109-116 (2023)
The present switching speed measurement devices for circuit breakers are mostly low in accuracy， severe on installation conditions， and cannot achieve real-time online monitoring. A new system for real-time switching speed measurement of circuit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fbff31ab987441aca5639e3adcace2bd
Autor:
Tanushree Ghosh, Suchita Kandpal, Chanchal Rani, Love Bansal, Manushree Tanwar, Rajesh Kumar,
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 2, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Search for a versatile flexible all‐organic liquid electrolyte‐less solid–state electrochromic device continues. In this quest, a polyaniline‐Viologen‐(PANI‐EV)‐based electrochromic device has been reported and designed based o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2a36c5bbc8c144958941ca767b69166b
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 128263-128275 (2022)
In common understanding, the fast switching speed of wide-bandgap devices leads to high overvoltage and oscillations, if no countermeasures are taken. Those countermeasures were introduced in the past, and include methods such as build-in gate resist
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/88a20ec184a14251abd00ca9467a8b30
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 69735-69746 (2021)
This paper develops a novel switching variable proportional desaturation proportional integral (SVPDPI) regulator for speed control of switched reluctance motor (SRM) drive system. Firstly, the idea of desaturation is adopted in the SRM drive system
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/047486aa900b4d7293f5cc1faa55d358
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 23, p 4126 (2022)
Ferroelectric polycrystalline HfO2 thin films are the most promising material for the implementation of novel non-volatile ferroelectric memories because of their attractive properties, such as compatibility with modern Si technology, perfect scalabi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b0d7938981ce49b598e23c850b553ff1