Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"switching layers"'
Autor:
Sarfraz Ali, Muhammad Abaid Ullah, Ali Raza, Muhammad Waqas Iqbal, Muhammad Farooq Khan, Maria Rasheed, Muhammad Ismail, Sungjun Kim
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 17, p 2443 (2023)
This review article attempts to provide a comprehensive review of the recent progress in cerium oxide (CeO2)-based resistive random-access memories (RRAMs). CeO2 is considered the most promising candidate because of its multiple oxidation states (Ce3
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9732f18715414e85acfcc4341fd32937
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.