Zobrazeno 1 - 10
of 647
pro vyhledávání: '"surface-activated bonding"'
Publikováno v:
Functional Diamond, Vol 4, Iss 1 (2024)
Integrating diamonds with GaN presents a promising solution for enhancing heat dissipation. However, a critical challenge lies in developing an engineering substrate that facilitates the growth of high-quality GaN epitaxial layers, enabling the produ
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/161901d6e7624e63aea2a5f90ded52a8
Publikováno v:
Microelectronics International, 2022, Vol. 40, Issue 2, pp. 115-131.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/MI-07-2022-0121
Autor:
Ayaka Kobayashi, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang
Publikováno v:
Functional Diamond, Vol 2, Iss 1, Pp 142-150 (2022)
A GaN-on-diamond structure is the most promising candidate for improving the heat dissipation efficiency of GaN-based power devices. Room-temperature bonding of GaN and diamond is an efficient technique for fabricating this structure. However, it is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c85d0c0f2d264cd2b74e097abd8f1d8e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 2, p 217 (2023)
Thinning the buffer layer thickness between the GaN epilayer and Si substrate without introducing large residual stress is persistently desired for GaN-on-Si devices to promote their thermal budgets and low-cost, multifunctional applications. In this
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/24b077dfa724407695cd33ad77905ff8
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 3, p 1424 (2023)
Levels of lead (Pb) in tap water that are well below established guidelines are now considered harmful, so the detection of sub-parts-per-billion (ppb) Pb levels is crucial. In this work, we developed a two-step, facile, and inexpensive fabrication a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6e4c966033814b4b8aae6c15076ac675
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.