Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"surface depletion"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 99094-99109 (2024)
P-type silicon nanowires (SiNWs) have attracted significant attention for their potential in miniaturizing sensing devices, attributed to the observed giant piezoresistive (PZR) effects. However, the application of these advantageous PZR properties o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6b43f12bc8364648be2034965bd5f36d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 512-516 (2019)
We report on the effect of Al2O3 surface passivation on electrical properties of beta-gallium oxide (β-Ga2O3) nanomembrane field-effect transistor (FET). The fabricated bottom-gate β -Ga2O3(100) FET exhibits enhanced channel conductance and reduced
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e6be4d82d2504d24bb50af5ba87c05ef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seohyeong Jang, Jinwoo Sung, Bobaro Chang, Taeyup Kim, Hyoungho Ko, Kyo-in Koo, Dong-il (Dan) Cho
Publikováno v:
Sensors, Vol 18, Iss 10, p 3304 (2018)
Silicon nanowires (SiNWs) have received attention in recent years due to their anomalous piezoresistive (PZR) effects. Although the PZR effects of SiNWs have been extensively researched, they are still not fully understood. Herein, we develop a new m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/14c8b7ee7a5146a8a7a1d2ef55cf13ff
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 2, Pp 416-419 (2009)
Abstract Photodetectors in a configuration of field effect transistor were fabricated based on individual W18O49 nanowires. Evaluation of electrical transport behavior indicates that the W18O49 nanowires are n-type semiconductors. The photodetectors
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c71df8da270948d99661a4bbb1278f28
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.