Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"subthreshold characteristics"'
Autor:
Fernando Avila Herrera, Yoko Hirano, Takahiro Iizuka, Mitiko Miura-Mattausch, Hideyuki Kikuchihara, Dondee Navarro, Hans Jurgen Mattausch, Akira Ito
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1293-1301 (2019)
A novel compact model has been developed, which considers the origin of the short-channel effect (SCE) on the basis of the potential distribution along the channel. Thus an enlargement of the insight into SCE suppression in advanced thin-layer MOSFET
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1d060eb085884fa4be2db5c018e96eaf
Autor:
Hans Jurgen Mattausch, Y. Hirano, Hideyuki Kikuchihara, Takahiro Iizuka, Mitiko Miura-Mattausch, Akira Ito, Dondee Navarro, Fernando Avila Herrera
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1293-1301 (2019)
A novel compact model has been developed, which considers the origin of the short-channel effect (SCE) on the basis of the potential distribution along the channel. Thus an enlargement of the insight into SCE suppression in advanced thin-layer MOSFET
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::423905b6d6361b0ad91e19a0d4463502
https://ieeexplore.ieee.org/document/8879528/
https://ieeexplore.ieee.org/document/8879528/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004. 483:821-824
Short-channel effects in SiC MOSFETs have been investigated. Planar MOSFETs with various channel lengths have been fabricated on p-type 4H-SiC (0001), (000-1) and (11-20) faces.^Short-channel effects such as punchthrough behavior, decrease of thresho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c01e5b3b080765b44973cb32a6c25fa8
http://hdl.handle.net/2433/8847
http://hdl.handle.net/2433/8847
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
VLSI Design, Vol 6, Iss 1-4, Pp 65-67 (1998)
We have been studying on subthreshold characteristics of SOI MOSFETs in terms of substrate bias dependence, using a 1-D Poisson equation on an SOI multi-layer structure for estimating structural parameters of real devices[1]. Here, we consider quantu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca8348d0427753fd009bacbc3f0d1a2c