Zobrazeno 1 - 10
of 1 093
pro vyhledávání: '"strained layer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
David Z. Ting, Alexander Soibel, Arezou Khoshakhlagh, Anita M. Fisher, Brian J. Pepper, Sam A. Keo, Cory J. Hill, Sir B. Rafol, Sarath D. Gunapala
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 24, p 12508 (2022)
We describe the challenges for long- and very long-wavelength InAs/InAsSb type-II strained-layer superlattice infrared detectors, and provide an overview of progress in device architecture development for addressing them. Specifically, we have explor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72aac5b81d894705940d3710d0165f9c
Autor:
Arash Dehzangi
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 12, p 6114 (2022)
Recent progress in Type-II strained layer superlattice (SLS) material systems has offered viable alternatives towards achieving large format, small-pitch, and low-cost focal plane arrays for different military and commercial applications. For focal p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/acbda1cdc754476b873749536bce5953
Autor:
Tiwari, Sandip, author
Publikováno v:
Semiconductor Physics : Principles, Theory and Nanoscale, 2020, ill.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/oso/9780198759867.003.0017
Publikováno v:
IUCrJ, Vol 5, Iss 1, Pp 67-72 (2018)
Determining vacancy in complex crystals or nanostructures represents an outstanding crystallographic problem that has a large impact on technology, especially for semiconductors, where vacancies introduce defect levels and modify the electronic struc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/93eab849119f4f0a9274f8c0d82188a8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 12, p 806 (2019)
This paper reports an InAs/InAsSb strained-layer superlattice (SLS) mid-wavelength infrared detector and a focal plane array particularly suited for high-temperature operation. Utilizing the nBn architecture, the detector structure was grown by molec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0ed1fc1b0a9d48408ddcfddb61ee5599
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 3, Iss 2, Pp 234-240 (2011)
We report on a dual-band [mid/long-wave infrared (MWIR and LWIR)] InAs/GaSb strained layer superlattice detector with a pBp architecture. Fifty percent cutoff wavelengths of 5 and 9 μm were obtained with diffusion-limited behavior for midwave IR abs
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b4eaad4a7ef94be8a8e37d6dd931cdc8