Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"steep-slope devices"'
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 6, Iss 1, Pp 1-8 (2020)
Hybrid-phase-transition FETs (HyperFETs), built by connecting a phase transition material (PTM) to the source terminal of a FET, are able to increase the ON-to- OFF current ratio. In this article, we describe a comprehensive study carried out to expl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/54be0434605c4a399f0be90604cf6890
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 6, Iss 2, Pp 138-145 (2020)
Energy efficiency in digital circuits is limited by the subthreshold swing (SS), which defines how abruptly a transistor switches between its ON and OFF-states. The SS is particularly important for circuits targeting minimum-energy computation which
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/732f6250c2c04bb4bc9daf86e28867e4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 6, Iss 2, Pp 138-145 (2020)
Energy efficiency in digital circuits is limited by the subthreshold swing (SS), which defines how abruptly a transistor switches between its ON and OFF-states. The SS is particularly important for circuits targeting minimum-energy computation which
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5245e213d76f37775b9c15905b15c648
https://ieeexplore.ieee.org/document/9201033/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9201033/
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 6, Iss 1, Pp 1-8 (2020)
instname
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 6, Iss 1, Pp 1-8 (2020)
Hybrid-phase-transition FETs (HyperFETs), built by connecting a phase transition material (PTM) to the source terminal of a FET, are able to increase the ON-to- OFF current ratio. In this article, we describe a comprehensive study carried out to expl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::18c95151191d17f411a1786608925b30
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.