Zobrazeno 1 - 10
of 87
pro vyhledávání: '"statistical device simulation"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO).
We study the impact of random dopant fluctuation (RDF) on electrical characteristics of 10-nm-gate high-κ/metal gate gate-all-around silicon nanowire MOSFET devices. To provide the best accuracy of device simulation, model parameters are validated b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4628f7c634e81f5f9961842ffb2237c
https://doi.org/10.1109/nano.2016.7751556
https://doi.org/10.1109/nano.2016.7751556
Autor:
Yiming Li, Hui Wen Cheng
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 77:12-19
We estimate the effects of random discrete dopants (RDs) and random interface traps (ITs) on physical and electrical characteristic fluctuations of 16-nm-gate high-j/metal gate (HKMG) metal–oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Tw
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b3f15467a7bc41b37a7be38121bdc95
https://doi.org/10.1016/j.sse.2012.05.017
https://doi.org/10.1016/j.sse.2012.05.017
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu-Yu Chen, Li-Wen Chen, Chieh-Yang Chen, Han-Tung Chang, Wen-Tsung Huang, Sheng-Chia Hsu, Chin-Min Yang, Yiming Li
Publikováno v:
2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO 2013).
In this paper, we estimate the influence of random dopants (RDs), interface traps (ITs), and random work functions (WKs) using the experimentally calibrated 3D device simulation on DC characteristic of high-κ / metal gate n- and p-type bulk fin-type
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb99ef1e36f705ff27538a1e9725e5b4
https://doi.org/10.1109/nano.2013.6720994
https://doi.org/10.1109/nano.2013.6720994
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 73467-73481 (2021)
Device simulation has been explored and industrialized for over 40 years; however, it still requires huge computational cost. Therefore, it can be further advanced using deep learning (DL) algorithms. We for the first time report an efficient and acc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d31462216b5b48248e83d73cb899f0e7
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO); 2016, p951-954, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.