Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"static noise margins"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 15, p 1307 (2024)
In this article, we propose a dual-gate dielectric face tunnel field-effect transistor (DGDFTFET) that can exhibit three different output voltage states. Meanwhile, according to the requirements of the ternary operation in the ternary inverter, four
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bd4c352f270d4308b34e2d070a96cf63
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. V. Luong, S. Strangio, A. T. Tiedemann, P. Bernardy, S. Trellenkamp, P. Palestri, S. Mantl, Q. T. Zhao
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1033-1040 (2018)
A half SRAM cell with strained Si nanowire complementary tunnel-FETs (TFETs) was fabricated and characterized to explore the feasibility and functionality of 6T-SRAM based on TFETs. Outward-faced n-TFETs are used as access-transistors. Static measure
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a625054c5f9e4591b41c64cc378915ee
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems Part 1: Regular Papers, p. 14 (2022)
The failure probabilities of industrial SRAM cells fall below the ppm (10−6) range, disqualifying the computationalintensive Monte-Carlo simulations for efficient robustness assessment. Starting from a novel two-dimensional threshold voltage imbala
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::74d02cd44b36f090ae193d91e0696bc1
https://hdl.handle.net/2078.1/260780
https://hdl.handle.net/2078.1/260780
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SBCCI
SBCCI, Aug 2019, Sao Paolo, Brazil. pp.85-88, ⟨10.1145/3338852.3339871⟩
SBCCI, Aug 2019, Sao Paolo, Brazil. pp.85-88, ⟨10.1145/3338852.3339871⟩
International audience; The purpose of this work is to point out the main differences between a Static Random-Access Memory (SRAM) cells implemented by using Tunnel FET (TFET) and FinFET technologies. We have compared the behavior of SRAM cells imple
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ef371119f9628af9869323ddd641550c
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02951701
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02951701
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.