Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"static losses"'
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 17, p 4315 (2024)
Research and development of power factor corrector (PFC) for AC/DC converters of single-phase AC power supply network are discussed within this article. Two-channel bridgeless PFC is proposed in this paper. The proposed converter allows us to lower c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6464ed90bfbf4d4aa9d75c271517e1a9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Utkarsh Jadli, Hamid Amini Moghadam, Sima Dimitrijev, Faisal Mohd-Yasin, Mayank Chaturvedi, Peyush Pande
Publikováno v:
Electronics
Volume 10
Issue 17
Electronics, Vol 10, Iss 2150, p 2150 (2021)
Volume 10
Issue 17
Electronics, Vol 10, Iss 2150, p 2150 (2021)
A balance between static and dynamic losses of a power MOSFET is always desirable for accomplishing the maximum efficiency for a specific power converter. The standard semiconductor theory suggests that a minimum power dissipation in a MOSFET can be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::44fb0b71f4fc5723e9c24964b54e4f48
https://doi.org/10.3390/electronics10172150
https://doi.org/10.3390/electronics10172150
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Radioelectronics and Communications Systems; Том 53, № 8 (2010); 442-445
At development of energy converters with application of pulse-duration modulation there are problems related to the concordance of levels and shape of pulses, generated by the microcontroller, with control signals at inputs of power transistors. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::42d1d0c25b627a5f8c9505bab9c54dac
https://doi.org/10.3103/s073527271008008x
https://doi.org/10.3103/s073527271008008x
Publikováno v:
Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Україна
Проаналізовані основні співвідношення для розрахунку втрат в ключових транзисторних каскадах на MOSFET транзисторах. Розглянуті парамет
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::9cdbace1859f0d9ed8becc6d7da3b205
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39141
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.