Zobrazeno 1 - 10
of 8 091
pro vyhledávání: '"stark shifts"'
Autor:
Song, Danni, Jiao, Yuechun, Hu, Jinlian, Yin, Yuwen, Li, Zhenhua, He, Yunhui, Bai, Jingxu, Zhao, Jianming, Jia, Suotang
We demonstrate the continuous broadband microwave receivers based on AC Stark shifts and Floquet States of Rydberg levels in a cesium atomic vapor cell. The resonant transition frequency of two adjacent Rydberg states 78$S_{1/2}$ and 78$P_{1/2}$ is t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.05676
Publikováno v:
Phys. Rev. B 108, L081304 (2023)
External-field driven energy-level discretization, such as Landau quantization or Stark localization, is one of the most intriguing phenomena in quantum systems. We investigate the emergence of the Wannier-Stark ladder coming from the particle-hole c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.06075
Autor:
Pirkola, Patrik, Horbatsch, Marko
We extend a previously developed model for the Stark resonances of the water molecule. The method employs a partial-wave expansion of the single-particle orbitals using spherical harmonics. To find the resonance positions and decay rates, we use the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.10401
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiong, Haonan, Ficheux, Quentin, Somoroff, Aaron, Nguyen, Long B., Dogan, Ebru, Rosenstock, Dario, Wang, Chen, Nesterov, Konstantin N., Vavilov, Maxim G., Manucharyan, Vladimir E.
Large scale quantum computing motivates the invention of two-qubit gate schemes that not only maximize the gate fidelity but also draw minimal resources. In the case of superconducting qubits, the weak anharmonicity of transmons imposes profound cons
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2103.04491
Autor:
Zalialiutdinov, T. A.1,2 (AUTHOR) t.zalialiutdinov@spbu.com, Anikin, A. A.1 (AUTHOR), Soloviev, D. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Experimental & Theoretical Physics. Nov2022, Vol. 135 Issue 5, p605-610. 6p.
Optical transitions of an Er$_2$O$_3$ film on a Si substrate grown by using a metal-organic chemical vapor deposition technique were investigated in a wide temperature (300 K $\sim$ 5 K) and spectral (500 nm and 850 nm) ranges. Numerous sharp transit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.09981
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.