Zobrazeno 1 - 10
of 10 636
pro vyhledávání: '"sram"'
Publikováno v:
Journal of Hospitality and Tourism Technology, 2024, Vol. 15, Issue 5, pp. 842-861.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/JHTT-12-2023-0428
Publikováno v:
Proceedings on Engineering Sciences, Vol 6, Pp 1897-1904 (2024)
The power saving in mobile systems is a big concern. It has attracted the attention of most of the researchers. In addition to this, process variation plays an important role in device performance, especially at lower technology nodes and low supply
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/837b2d6f42ba4a8b9f0e6f45ec00cbbf
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 56, Iss 8, Pp 2916-2922 (2024)
In memory semiconductors such as a static random access memory (SRAM), a common problem is soft errors under radiation environment. These soft errors cause bit flips, which are referred to as single event upsets (SEUs). Some radiation-hardened SRAM c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df52b849542f47ba986ec1191bca6be6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 12, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Compensation has been a common while unacknowledged strategy in the design of computing‐in‐memory (CIM) schemes. It enables efficient CIM designs by intentionally letting the sum of capacitances or conductances of two or more rows or col
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8ce08632eb044fd89555ce186a7ec9c6
Autor:
Kavitha Manickam, P.K. Janani, S. Karthick, S. Arulsivam, C. Vikram, G. Hariharan, R. Kavinkumar, P. Ganesh
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 20, Iss 2, Pp 112-124 (2024)
The overall performance of any integrated circuit is defined by its proper memory design, as it is a mandatory and major block which requires more area and power. The prime interest of this article is to design a memory structure which is tolerant to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d1af370ca789497aacf2125a0c76f245
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.