Zobrazeno 1 - 10
of 201
pro vyhledávání: '"sputtering target"'
Publikováno v:
中国工程科学, Vol 25, Iss 1, Pp 79-87 (2023)
High-purity metal sputtering target is one of the key basic materials for integrated circuits. Self-dependence of the sputtering targets is vital for the high-quality development of the integrated circuit industry in China. This study analyzes the ap
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5ef7a222dfc94aacbb75db08e0f4ce69
Autor:
Fugang Qi, Shaoqin Peng, Jiachang Bi, Shunda Zhang, Guanhua Su, Peiyi Li, Jiahui Zhang, Tengteng Zhang, Weisong Zhou, Ruyi Zhang, Yanwei Cao
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 4, p 304 (2024)
Barium titanate (BaTiO3) is a promising material for silicon-integrated photonics due to its large electro-optical coefficients, low loss, high refractive index, and fast response speed. Several deposition methods have been employed to synthesize BaT
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1282506b79f44a7bb8cf444f123cb80d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Fenmo yejin jishu, Vol 39, Iss 5, Pp 445-451 (2021)
W–Si alloy blocks were prepared by vacuum calcination, using the W and Si mixed powders as the raw materials, and the W–Si sputtering targets followed the requirements of semiconductor application were successfully prepared by crushing and sinter
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c37a851834074468877139616db3b93a
Publikováno v:
China Foundry, Vol 18, Iss 2, Pp 141-146 (2021)
The effects of two types of magnetic fields, namely harmonic magnetic field (HMF) and pulse magnetic field (PMF) on magnetic flux density, Lorentz force, temperature field, and microstructure of high purity Cu were studied by numerical simulation and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/006da790d1074c378d0e4831d61536ec
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.