Zobrazeno 1 - 10
of 9 171
pro vyhledávání: '"sputtering target"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fugang Qi, Shaoqin Peng, Jiachang Bi, Shunda Zhang, Guanhua Su, Peiyi Li, Jiahui Zhang, Tengteng Zhang, Weisong Zhou, Ruyi Zhang, Yanwei Cao
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 4, p 304 (2024)
Barium titanate (BaTiO3) is a promising material for silicon-integrated photonics due to its large electro-optical coefficients, low loss, high refractive index, and fast response speed. Several deposition methods have been employed to synthesize BaT
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1282506b79f44a7bb8cf444f123cb80d
Autor:
Yi, Chen-Xi, Zhang, Hao-Tian, Wang, Shuai-Kang, Han, Gui-Sheng, Liu, Zhi-Ling, Tian, Ye-Fei, Bao, Ming-Dong
Publikováno v:
In Vacuum April 2023 210
Autor:
Shin, S. J.1 (AUTHOR) shin5@llnl.gov, Bae, J. H.2 (AUTHOR), Engwall, A. M.1 (AUTHOR), Bayu Aji, L. B.1 (AUTHOR), Baker, A. A.1 (AUTHOR), Taylor, G. V.1 (AUTHOR), Merlo, J. B.1 (AUTHOR), Sohngen, L. R.1 (AUTHOR), Moody, J. D.1 (AUTHOR), Kucheyev, S. O.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 1/21/2024, Vol. 135 Issue 3, p1-14. 14p.
Publikováno v:
In Vacuum June 2022 200
Publikováno v:
Fenmo yejin jishu, Vol 39, Iss 5, Pp 445-451 (2021)
W–Si alloy blocks were prepared by vacuum calcination, using the W and Si mixed powders as the raw materials, and the W–Si sputtering targets followed the requirements of semiconductor application were successfully prepared by crushing and sinter
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c37a851834074468877139616db3b93a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing January 2021 121