Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"source/drain recess depth"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 35873-35881 (2020)
Excess source and drain (S/D) recess depth (TSD) variations were analyzed comprehensively as one of the most critical factors to DC/AC performances of sub 5-nm node Si-Nanosheet (NS) FETs for system-on-chip (SoC) applications. Variations of off-, on-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd3149784d574df689e44143c42e1a3f
Autor:
Sanguk Lee, Jinsu Jeong, Jun-Sik Yoon, Seunghwan Lee, Junjong Lee, Jaewan Lim, Rock-Hyun Baek
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 19, p 3349 (2022)
The inner spacer thickness (TIS) variations in sub-3-nm, node 3-stacked, nanosheet field-effect transistors (NSFETs) were investigated using computer-aided design simulation technology. Inner spacer formation requires a high selectivity of SiGe to Si
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eae37ed1f5aa4f5a8b48820cafb824ed
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 35873-35881 (2020)
Excess source and drain (S/D) recess depth ( $T_{SD}$ ) variations were analyzed comprehensively as one of the most critical factors to DC/AC performances of sub 5-nm node Si-Nanosheet (NS) FETs for system-on-chip (SoC) applications. Variations of of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d5dbd30edd3e183a5072bbd1f9076e5e
https://ieeexplore.ieee.org/document/9003247/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9003247/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.