Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"source/drain bottom contact (SDBC)"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 138192-138199 (2021)
For the first time, we suggested that the monolithic 3D (M3D) static random access memory (SRAM) with gate and S/D bottom contact (GBC and SDBC) schemes (SRAMSDGBC) and analyzed they could significantly improve the power, performance, and area (PPA)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bca9431751f1470ea8f23037fbb1d625
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.